奧趨光電是一家由半導體領(lǐng)域頂尖技術(shù)專(zhuān)家、海外歸國學(xué)者團隊領(lǐng)銜創(chuàng )立的高科技創(chuàng )新型企業(yè)…….
奧趨光電具備獨有的高質(zhì)量AlN圓晶襯底材料全套制程能力，且相關(guān)產(chǎn)品應用領(lǐng)域具有巨大的市場(chǎng)潛力......
7月9日，第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì )議在湖北恩施華龍城大酒店圓滿(mǎn)落幕。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企...
第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì )議于今日在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮...
2024年7月7-10日，由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)主辦的第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì )議將在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單...
6月25-26日，“十四五”國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“新型顯示與戰略性電子材料”重點(diǎn)專(zhuān)項2024年度第三代半導體材料與器件技術(shù)方向19個(gè)項目中期檢查會(huì )議在杭州光學(xué)精密機械研究所召開(kāi)。奧趨光電作為“AlN單晶襯...
2024年7月2日至4日，2024第三屆射頻濾波器創(chuàng )新技術(shù)大會(huì )將在安徽合肥召開(kāi)。本次大會(huì )以“寬帶·共存”為主題，邀請了射頻濾波材料、器件、芯片及相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的資深專(zhuān)家學(xué)者、頭部企業(yè)代表共聚一堂，圍繞5G...
7月9日，第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì )議在湖北恩施華龍城大酒店圓滿(mǎn)落幕。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮相本屆大會(huì )，現場(chǎng)設展向與會(huì )嘉賓匯報展示了面向紫外光電器件、功率電子器件、微波...
第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì )議于今日在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮相本屆大會(huì )，向與會(huì )嘉賓匯報展示面向紫外光電器件、功率電子器件、微波射頻器件等應用...
2024年7月7-10日，由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)主辦的第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì )議將在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)，受組委會(huì )邀請將出席本次會(huì )議并發(fā)表主...
6月25-26日，“十四五”國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“新型顯示與戰略性電子材料”重點(diǎn)專(zhuān)項2024年度第三代半導體材料與器件技術(shù)方向19個(gè)項目中期檢查會(huì )議在杭州光學(xué)精密機械研究所召開(kāi)。奧趨光電作為“AlN單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)”項目（編號2022YFB3605300，項目負責人北京...
2024年7月2日至4日，2024第三屆射頻濾波器創(chuàng )新技術(shù)大會(huì )將在安徽合肥召開(kāi)。本次大會(huì )以“寬帶·共存”為主題，邀請了射頻濾波材料、器件、芯片及相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的資深專(zhuān)家學(xué)者、頭部企業(yè)代表共聚一堂，圍繞5G、6G和Wi-Fi 7等高頻、大帶寬濾波器技術(shù)，共同探討關(guān)鍵基礎材料、器件設計、...
2024年7月7-10日，由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)主辦的第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì )議將在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)，受組委會(huì )邀請將出席本次會(huì )議并發(fā)表主...
為了提高量子阱高電子遷移率晶體管（QW HEMTs）中的電子遷移率，我們研究了在A(yíng)l極性單晶AlN襯底上的AlN/GaN/AlN異質(zhì)結構中的輸運特性。理論建模與實(shí)驗相結合表明，量子阱中高電場(chǎng)引起的界面粗糙度散射限制了遷移率。將量子阱寬度增加到其松弛形態(tài)可以減小內部電場(chǎng)和散射，從而...
本文展示了采用等離子輔助分子束外延（PAMBE）技術(shù)實(shí)現了N極性AlN單晶襯底上同質(zhì)外延生長(cháng)AlN薄膜中的可控Si摻雜。通過(guò)優(yōu)化生長(cháng)條件，我們在950℃下獲得了高質(zhì)量的N極性AlN薄膜。然而，我們的研究揭示，在這樣的高溫生長(cháng)環(huán)境下，Si的摻入量會(huì )顯著(zhù)降低。為了實(shí)現更高的Si摻入量...
在過(guò)去的十年中，半導體領(lǐng)域最大的新聞之一就是傳統硅的意外被超越——在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）已經(jīng)超越了硅，占據了數十億美元的市場(chǎng)份額。隨著(zhù)這些具有優(yōu)越性能的新秀逐漸占據主要應用領(lǐng)域，人們自然會(huì )提出一個(gè)問(wèn)題：下一代新的功率半導體會(huì )是什么——哪一種半導體將憑借...
Crystal IS，一家旭化成公司，今天宣布成功實(shí)現了直徑為100 mm的單晶氮化鋁（AlN）襯底的批量生產(chǎn)，這些襯底的可用面積達到99%，以滿(mǎn)足當前UVC LED的需求，生產(chǎn)將在美國進(jìn)行。AlN的超寬帶隙和高熱導率不僅有助于提高UVC LED器件的可靠性和性能，還有助于提高下...
我們在A(yíng)lN襯底上，采用MOCVD生長(cháng)的AlGaN/GaN/AlN外延層實(shí)現了基于A(yíng)lN的GaN溝道HEMT，在VGS = 1 V時(shí)，實(shí)現了400 mA/mm的電流密度和125 V/μm的擊穿電壓（VBr）縮放。與類(lèi)似的AlN-on-SiC器件不同，高VBr縮放在1000 V以上...
極化誘導載流子在實(shí)現超寬帶隙半導體AlGaN的高電導率方面起著(zhù)重要作用，這對于從射頻和功率電子到深紫外光電器件的各種應用至關(guān)重要。盡管具有重要的科學(xué)和技術(shù)意義，但在N極性AlGaN中關(guān)于極化誘導載流子的研究仍然較少。我們通過(guò)系統改變8 nm頂層中的Al含量，從x=0到x=0.6，...
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